本书从实战出发，将逻辑推导、法律依据等作为发明专利实审答复中的核心要素，借助不同案例，对发明专利实质审查过程中遇到的不同问题，从新颖性、创造性及其他问题三个方面结合具体专利法规进行分析，并对如何修改及意见答复提出合适的处理方式。
将逻辑推导、法律依据等作为发明专利实审答复中的核心要素 结合实践案例进行审查意见答复
随着中国技术型企业的日益崛起、中国企业愈发自信地走向世界的同时，中外贸易摩擦也愈发频繁，其中不乏由知识产权问题引起的纠纷。在如此纷繁复杂的世界大环境下，为了更好地与世界各国进行合作，加强技术交流，中国也在不断完善知识产权制度，1985年开始施行的《中华人民共和国专利法》（以下简称《专利法》）于2020年进行了第四次修正。同时，为了配合《专利法》的修正，国家知识产权局也相应启动了《专利审查指南》（以下简称《审查指南》）以及《专利法实施细则》（以下简称《实施细则》）的修改工作。多年来，对知识产权制度的不断完善体现了我国对于实现知识产权制度的规范化、现代化的决心，以及应对复杂严峻的国际经济形势的信心。
在经济和科技高速发展的当下，随着《专利法》的修改完善，以及后续相适应的《审查指南》及《实施细则》的修改，如何在不断变化的国内外形势下，满足不同客户的需求，更好地提高服务质量及业务水平,是值得每一位作为知识产权服务一线从业人员的专利代理师深思的。
目前，在专利代理师众多业务领域范畴中，答复审查意见可谓专利整个生命周期中，专利代理师直面博弈的第一战。一方面，答复审查意见的工作对于专利代理师来说，实际上是在演绎专利权人利益和公众利益之间的天平动态平衡。在审查意见答复过程中，审查员在某种层面上作为公众利益的代表，而专利代理师则需要在保证专利权人的合法利益最大化的同时维护公众利益，因此需要专利代理师能够精准地找到每一份专利申请的平衡点。另一方面，专利代理师还是技术层面和法律层面的桥梁，尤其是答复审查意见的过程中,专利代理师不仅要理解和剖析专利申请文件及相关文献中的技术，还需要在符合《专利法》《实施细则》及《审查指南》规定的情况下为客户的创新技术争取合理保护范围。
因此，答复审查意见不仅是每位专利代理师必修的基本功，也是检验专利代理师专业水准的验金石。答复审查意见的过程中，不仅要求专利代理师具备丰富的专业技术知识，还需对专利法条的实际意义融会贯通，更需要能够透析审查员下发的审查意见的深层内涵。
因此，本书借不同案例分享在答复审查意见过程中所遇到的问题和处理方式的部分心得，以期抛砖引玉，助力我国知识产权强国建设事业。
本书编著人员均为资深专利代理师，由于时间仓促，其中错误之处在所难免，敬请广大读者不吝指正。
李文红， 2000年开始从事知识产权工作。作为北京市集佳律师事务所的高级合伙人，参与创办上海分所。为多家业内领先企业处理专利国内外申请、专利侵权诉讼、专利复审无效等事务，为多家行业协会、企业、政府部门等出具知识产权咨询报告。参与国家社会科学基金项目和国家自然科学基金项目多项，负责九三学社上海市委重点课题多项。合著有《3D打印产业的知识产权问题研究》，作为主要主编或者主译已合作出版编著和译著五部，发表多篇专业文章。担任上海市法学会知识产权法研究会理事，上海市知识产权民事纠纷专业调解委员会调解员，同济大学中欧创新政策与法律研究中心兼职研究员，上海大学法学院知识产权应用研究中心特邀研究员，华东政法大学、上海交通大学凯原法学院法律硕士兼职导师，华东师范大学上海国际首席技术官学院产业导师。
吴敏， 2006年加入集佳，开始从事知识产权工作，在半导体、光电及机械领域的专利代理事务方面积累丰富经验。从业期间处理过专利申请、专利复审无效、专利检索分析等事务；为多家企业提供知识产权咨询服务，帮助客户进行技术挖掘、专利布局等，协助客户了解行业最新技术动态及发展趋势以制定专利战略；曾应邀为企业及高校提供专利方面的培训，并在《知识产权战略与实务》发表文章《从复审案例谈专利创造性评价中的事实认定》，在公司期刊发表文章《结合案例谈公知常识相关审查意见的答复》。现担任上海大学法学院知识产权应用研究中心特邀研究员，上海应用技术大学中欧知识产权学院兼职教授。
目 录
第一章
涉及新颖性问题的答复案例
第一节 新颖性的判断
案例1互连结构及其制造方法
第二节 关于新颖性评价中抵触申请的问题
案例2 LDMOS晶体管的形成方法及LDMOS晶体管
第三节 新颖性评价中区别技术特征的认定
案例3封装结构及其封装方法
第二章涉及创造性问题的答复案例
第一节 公知常识或惯用技术手段
案例4掺氟的氧化硅薄膜的形成方法
案例5互连结构的形成方法
案例6半导体结构及其形成方法
案例7晶体管的形成方法
第二节 技术方案的理解
案例8半导体器件及其形成方法
案例9半导体结构的形成方法
案例10驱动电路的数据维持方法和装置
案例11 MOCVD设备的喷淋头及其制作方法
案例12半导体互连结构及形成方法
案例13半导体器件的制造方法
第三节 区别技术特征或技术特征的认定
案例14自对准多重图形的形成方法
案例15压力传感器及其形成方法
案例16半导体器件
案例17半导体器件及其形成方法
案例18半导体结构及其形成方法
案例19金属互连层的制造方法
案例20多指条形GGNMOS
案例21铜互连线的形成方法和介质层的处理方法
案例22光学指纹传感器和电子产品
案例23非接触通信装置
案例24重复利用半导体芯片的方法
案例25芯片及其制造方法、晶圆结构
第四节 是否存在技术启示
案例26制作浅沟槽隔离结构的方法
案例27互连结构及其形成方法
案例28互连结构的形成方法
案例29半导体器件的形成方法
案例30封装结构及其形成方法
案例31导电结构的形成方法
案例32介质层的形成方法
案例33清洗焊盘的方法
案例34鳍式场效应管的形成方法及半导体结构
案例35P型MOS晶体管及其形成方法
案例36等效信道矩阵计算方法及装置
案例37知识检索方法及装置、存储介质、服务器
第五节 方法限定结构及功能性限定
案例38鳍式场效应管及其形成方法
案例39指纹成像模组和电子设备
案例40射频发射电路、发射机及用户终端
第三章 涉及其他问题的答复案例
第一节 有关《专利法》第26条第4款
案例41半导体结构及其形成方法
案例42电子设备
案例43半导体结构及其形成方法
案例44半导体器件的形成方法
第二节 缺少解决技术问题的必要技术特征
案例45液晶显示装置的显示方法
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