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多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用 
定 价：150 元 丛书名：辐射环境模拟与效应丛书
9 7 7 8 6 7 4 0 6 3 9 0 0 读者对象:本书可作为从事辐射物理、核技术、微电子学、空间电子学、电子元器件等科研人员参考书，也可供辐射效应研究、半导体材料应用、宇航电子系统设计等领域工程技术人员参考。
本书系统介绍了用于材料位移损伤研究的多尺度模拟方法，包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、第一性原理方法、器件电学性能模拟方法等，模拟尺寸从原子尺度的10.10m到百纳米，时间从亚皮秒量级到106s，并给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓材料位移损伤研究中的应用，揭示了典型半导体材料的位移损伤机理和规律，在核技术和辐射物理学科的发展、位移损伤效应研究、人才培养等方面具有重要的学术意义和应用价值。
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