本书全面阐述了半导体刻蚀加工及金属辅助化学刻蚀加工原理与工艺,详细讲述了硅折点纳米线、超高深径比纳米线、单纳米精度硅孔阵列三类典型微/纳米结构的刻蚀加工工艺,并对第三代半导体碳化硅的电场和金属辅助化学刻蚀复合加工、第三代半导体碳化硅高深宽比微槽的紫外光场和湿法刻蚀复合加工工艺进行了详细论述。
本书主要描述常用半导体器件的基本结构、工作原理以及电特性。内容包括:半导体物理基础、PN结、PN结二极管应用、双极型晶体管、结型场效应晶体管、MOSFET以及新型场效应晶体管,如FinFET、SOIFET、纳米线围栅(GAA)FET等,共计七章。与同类教材比较,本教材增加了pn结二极管应用以及新型场效应晶体管的介绍,反
《半导体先进封装技术》作者在半导体封装领域拥有40多年的研发和制造经验。《半导体先进封装技术》共分为11章,重点介绍了先进封装,系统级封装,扇入型晶圆级/板级芯片尺寸封装,扇出型晶圆级/板级封装,2D、2.1D和2.3DIC集成,2.5DIC集成,3DIC集成和3DIC封装,混合键合,芯粒异质集成,低损耗介电材料和先进
本书比较全面地介绍了当前表面组装技术(SMT)生产线及主要设备、建线工程、设备选型、基板、元器件、工艺材料等基础知识和表面组装印制电路板可制造性设计(DFM)等内容。全书分为6章,分别是第1章绪论、第2章SMT生产材料准备、第3章SMT涂敷工艺技术、第4章MT贴装工艺技术、第5章MT检测工艺技术、第6章MT清洗工艺技术
本书介绍了红外探测领域的基本概念、研究进展和发展趋势。全书旨在为从事红外探测器设计以及应用的科研人员,深入介绍本领域的专业基础、分析方法、技术进展和发展趋势,为新型红外焦平面器件的研发提供一定的基础理论指导和技术支持。
本书主要介绍了通过分析在不同绝缘层制备的有机场效应晶体管性能,得出绝缘层与半导体层表面能匹配可以提高场效应迁移率的规律。全书共4章,具体内容包括:有机场效应晶体管简介及发展现状分析,Ph5T2单晶场效应晶体管的制备及其性能分析,表面能匹配对于不同单晶材料普适性的讨论,以及利用表面能匹配为指导制备高迁移率DNTT单晶场效
本书旨在向材料及微电子集成相关专业的高年级本科生、研究生及从事材料与器件集成行业的科研人员介绍栅介质材料制备与相关器件集成的专业技术。本书共10章,包括了集成电路的发展趋势及后摩尔时代的器件挑战,栅介质材料的基本概念及物理知识储备,栅介质材料的基本制备技术及表征方法;着重介绍了栅介质材料在不同器件中的集成应用,如高κ与
本书介绍了当前主流的光学光刻、先进的极紫外光刻以及下一代光刻技术。主要内容涵盖了光刻理论、工艺、材料、设备、关键部件、分辨率增强、建模与仿真、典型物理与化学效应等,包括光刻技术的前沿进展,还总结了极紫外光刻的特点、存在问题与发展方向。
传感器是信息获取的源头,位于信息技术链条的最前端。本书从气体传感器的应用领域和系统分类出发,重点围绕基于混成电位原理的固体电解质气体传感器的研究进展、发展现状及未来趋势进行介绍。本书主要内容包括固体电解质气体传感器的种类和特点、钇稳定氧化锆基混成电位型气体传感器的混成电位原理、增感策略、高效三相界面构筑、其他增感策略以
全书共分为4章,系统阐述了辐射诱导半导体缺陷的相关理论、数值模拟方法、表征技术及应用。空间辐射诱导缺陷是导致电子元器件性能退化的重要原因,然而辐射诱导缺陷的形成、演化和性质与半导体材料本身物理属性、器件类型及结构密切相关。